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而且拼接后的单晶片边界线十分明显，联网力分论坛而且边界部位存在更多的缺陷和应力，联网力分论坛同时，过大的拼接单晶其中心与边缘的功率密度差异会造成生长不均匀，从而导致结晶质量下降。在电子与热学性能方面，结7电金刚石相比传统的硅、结7电以及目前开始应用的宽禁带半导体氮化镓、碳化硅，具有更高的临界击穿电场、高电子迁移率、高热导率等优势，是制造高压、高温、高频、抗辐照及低功率损耗半导体器件最有希望的半导体材料，被业界誉为终极半导体。

金刚石具有自然界中最高的硬度、合华会最高的导热性、合华会极低的热膨胀系数、从紫外到远红外的最宽的光谱透范围，超高载流子迁移率、5.5eV的超宽禁带与超高击穿电压，得益于种种极限性能的组合，金刚石这颗冉冉新星逐渐在各行各业大放异彩。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，为中投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。金刚石MOSFET与结构示意图金刚石MOSFET是研究最广泛的金刚石晶体管，国生其采用MOS栅控制结构可抑制栅极的泄漏电流。

对p型金刚石来说，态伙原子尺寸较小的硼很容易就能融入金刚石晶格之中，不存在晶体取向问题。而磷掺杂则存在激活能过高、全源互掺入效率低、电导特性差等问题，因此制备的n型掺杂金刚石薄膜的电阻率也达不到制作器件的要求[7]。

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